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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
HUFA75309T3ST
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 UltraFET™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 1.1W (Ta) N-Channel - 55V 3A (Ta) 70 mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 23nC @ 20V 352pF @ 25V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 1.1W (Ta) N-Channel - 55V 2.6A (Ta) 90 mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 17nC @ 20V 250pF @ 25V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 1.1W (Ta) N-Channel - 55V 3A (Ta) 70 mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 23nC @ 20V 352pF @ 25V 10V ±20V
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1.1W (Ta) N-Channel - 100V 600mA (Ta) 3 Ohm @ 500mA, 10V 1.5V @ 1mA - 75pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1.1W (Ta) N-Channel - 100V 600mA (Ta) 3 Ohm @ 500mA, 10V 1.5V @ 1mA - 75pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1.1W (Ta) N-Channel - 100V 600mA (Ta) 3 Ohm @ 500mA, 10V 1.5V @ 1mA - 75pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 1.1W (Ta) N-Channel - 55V 2.6A (Ta) 90 mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 17nC @ 20V 250pF @ 25V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 1.1W (Ta) N-Channel - 55V 2.6A (Ta) 90 mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 17nC @ 20V 250pF @ 25V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 1.1W (Ta) N-Channel - 55V 2.6A (Ta) 90 mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 17nC @ 20V 250pF @ 25V 10V ±20V
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