- 系列 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,509
有现货
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Sanken | MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220 | 40W (Tc) | N-Channel | 200V | 45A (Ta) | 53 mOhm @ 22A, 10V | 4.5V @ 1mA | - | 2000pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,320
有现货
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Sanken | MOSFET N-CH 250V 20A TO-220F | - | Not For New Designs | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220 | 40W (Tc) | N-Channel | 250V | 20A (Ta) | 95 mOhm @ 10A, 10V | 4.5V @ 1mA | - | 1600pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,380
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV | DTMOSIV | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220 | 40W (Tc) | N-Channel | 600V | 15.8A (Ta) | 190 mOhm @ 7.9A, 10V | 3.7V @ 790µA | 40nC @ 10V | 1350pF @ 300V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,083
有现货
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Sanken | MOSFET N-CH 50V 75A TO-220F | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220 | 40W (Tc) | N-Channel | 50V | 75A (Ta) | 10 mOhm @ 37A, 10V | 4.5V @ 250µA | 70nC @ 10V | 3200pF @ 10V | 10V | ±20V |