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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFR120NTRRPBF
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RFQ
2,976
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK HEXFET® Discontinued at Digi-Key Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) - Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 48W (Tc) N-Channel 100V 9.4A (Tc) 210 mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 25nC @ 10V 330pF @ 25V 10V ±20V
IRF7465PBF
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RFQ
2,750
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC HEXFET® Discontinued at Digi-Key Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel 150V 1.9A (Ta) 280 mOhm @ 1.14A, 10V 5.5V @ 250µA 15nC @ 10V 330pF @ 25V 10V ±30V
IRF520NSPBF
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RFQ
3,311
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK HEXFET® Discontinued at Digi-Key Tube MOSFET (Metal Oxide) - Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 48W (Tc) N-Channel 100V 9.7A (Tc) 200 mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25nC @ 10V 330pF @ 25V 10V ±20V
RCD051N20TL
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RFQ
2,550
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 CPT3 850mW (Ta), 20W (Tc) N-Channel 200V 5A (Tc) 760 mOhm @ 2.5A, 10V 5.25V @ 1mA 8.3nC @ 10V 330pF @ 25V 10V ±30V
RCD051N20TL
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RFQ
1,502
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 - Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 CPT3 850mW (Ta), 20W (Tc) N-Channel 200V 5A (Tc) 760 mOhm @ 2.5A, 10V 5.25V @ 1mA 8.3nC @ 10V 330pF @ 25V 10V ±30V
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