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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFS7440PBF
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RFQ
2,982
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Infineon Technologies MOSFET N CH 40V 120A D2PAK HEXFET®, StrongIRFET™ Discontinued at Digi-Key Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D²Pak) 208W (Tc) N-Channel - 40V 120A (Tc) 2.5 mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 135nC @ 10V 4730pF @ 25V 6V, 10V ±20V
IPB47N10SL26ATMA1
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RFQ
1,415
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 SIPMOS® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 175W (Tc) N-Channel - 100V 47A (Tc) 26 mOhm @ 33A, 10V 2V @ 2mA 135nC @ 10V 2500pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPB47N10SL26ATMA1
单位
$2.06
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RFQ
3,392
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 SIPMOS® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 175W (Tc) N-Channel - 100V 47A (Tc) 26 mOhm @ 33A, 10V 2V @ 2mA 135nC @ 10V 2500pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SIR476DP-T1-GE3
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RFQ
2,500
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 6.25W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 25V 60A (Tc) 1.7 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 135nC @ 10V 6150pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SIR476DP-T1-GE3
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RFQ
3,442
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 6.25W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 25V 60A (Tc) 1.7 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 135nC @ 10V 6150pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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