- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,710
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 | - | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 | 140W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 110A (Tc) | 7 mOhm @ 64A, 7V | 700mV @ 250µA | 110nC @ 4.5V | 4700pF @ 15V | 4.5V, 7V | ±10V | ||
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获得报价 |
1,179
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | - | Discontinued at Digi-Key | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 130W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 100A (Tc) | 7 mOhm @ 60A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110nC @ 4.5V | 3500pF @ 25V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,881
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | - | Discontinued at Digi-Key | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 130W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 100A (Tc) | 7 mOhm @ 60A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110nC @ 4.5V | 3500pF @ 25V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,841
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 330W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 260A (Tc) | 3 mOhm @ 38A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110nC @ 4.5V | 5890pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |