- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,012
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | D2PAK (7-Lead) | 380W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 190A (Tc) | 4 mOhm @ 110A, 10V | 4V @ 250µA | 230nC @ 10V | 9830pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,474
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 200W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 135A (Tc) | 4.7 mOhm @ 104A, 10V | 4V @ 250µA | 230nC @ 10V | 5110pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,754
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | D2PAK | 380W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 190A (Tc) | 4 mOhm @ 110A, 10V | 4V @ 250µA | 230nC @ 10V | 9830pF @ 50V | 10V | ±20V |