- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
- Vgs(最大值) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,301
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8 | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Micro8™ | 1.8W (Ta) | N-Channel | 20V | 5.7A (Ta) | 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 650pF @ 15V | 2.7V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,389
有现货
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN | - | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PDFN (5x6) | 2.2W (Ta) | N-Channel | 25V | 100A (Tc) | 3.5 mOhm @ 20A, 10V | 1.6V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 1635pF @ 12.5V | 4.5V, 10V | +10V, -8V | ||
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获得报价 |
1,533
有现货
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PDFN (5x6) | 2.2W (Ta) | N-Channel | 25V | 100A (Tc) | 3.5 mOhm @ 20A, 10V | 1.6V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 1635pF @ 12.5V | 4.5V, 10V | +10V, -8V |