- 制造商 :
- 系列 :
- 供应商设备包 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
- Vgs(最大值) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,981
有现货
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EPC | TRANS GAN 15V BUMPED DIE | eGaN® | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | - | N-Channel | 15V | 3.4A (Ta) | 28 mOhm @ 1.5A, 5V | 2.5V @ 1mA | 0.93nC @ 5V | 100pF @ 6V | 5V | +6V, -4V | ||
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获得报价 |
2,381
有现货
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EPC | TRANS GAN 15V BUMPED DIE | eGaN® | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | - | N-Channel | 15V | 3.4A (Ta) | 28 mOhm @ 1.5A, 5V | 2.5V @ 1mA | 0.93nC @ 5V | 100pF @ 6V | 5V | +6V, -4V | ||
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获得报价 |
2,474
有现货
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EPC | TRANS GAN 15V BUMPED DIE | eGaN® | Discontinued at Digi-Key | Tape & Reel (TR) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | - | N-Channel | 15V | 3.4A (Ta) | 28 mOhm @ 1.5A, 5V | 2.5V @ 1mA | 0.93nC @ 5V | 100pF @ 6V | 5V | +6V, -4V | ||
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获得报价 |
1,762
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 | TrenchFET® | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 1.5W (Ta) | N-Channel | 100V | 3.4A (Ta) | 62 mOhm @ 5.4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,589
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 | TrenchFET® | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 1.5W (Ta) | N-Channel | 100V | 3.4A (Ta) | 62 mOhm @ 5.4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V |