- 系列 :
- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,266
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 | OptiMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 114W (Tc) | N-Channel | 100V | 9.4A (Ta), 63A (Tc) | 15.9 mOhm @ 50A, 10V | 2.4V @ 72µA | 35nC @ 10V | 2500pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,383
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 | OptiMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 114W (Tc) | N-Channel | 100V | 9.4A (Ta), 63A (Tc) | 15.9 mOhm @ 50A, 10V | 2.4V @ 72µA | 35nC @ 10V | 2500pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,320
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 | - | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerPAK® 8 x 8 | 114W (Tc) | N-Channel | 600V | 11A (Tc) | 339 mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 62nC @ 10V | 1076pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,533
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 | - | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerPAK® 8 x 8 | 114W (Tc) | N-Channel | 600V | 11A (Tc) | 339 mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 62nC @ 10V | 1076pF @ 100V | 10V | ±30V |