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功耗(最大) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMN2550UFA-7B
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3 - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN0806-3 360mW (Ta) N-Channel 20V 600mA (Ta) 450 mOhm @ 200mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.88nC @ 4.5V 52.5pF @ 16V 1.5V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3 - Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN0806-3 360mW (Ta) N-Channel 20V 600mA (Ta) 450 mOhm @ 200mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.88nC @ 4.5V 52.5pF @ 16V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN2320UFB4-7B
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1006-3 520mW (Ta) N-Channel 20V 1A (Ta) 320 mOhm @ 500mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.89nC @ 4.5V 71pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
DMN2320UFB4-7B
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 - Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1006-3 520mW (Ta) N-Channel 20V 1A (Ta) 320 mOhm @ 500mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.89nC @ 4.5V 71pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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