- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
749
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | D2PAK (7-Lead) | 380W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 105A (Tc) | 11.8 mOhm @ 63A, 10V | 5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 5320pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,026
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7 | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | D2PAK (7-Lead) | 300W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 160A (Tc) | 2.6 mOhm @ 140A, 10V | 4V @ 250µA | 200nC @ 10V | 7820pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,754
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | D2PAK | 380W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 190A (Tc) | 4 mOhm @ 110A, 10V | 4V @ 250µA | 230nC @ 10V | 9830pF @ 50V | 10V | ±20V |