- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,186
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | D2PAK (7-Lead) | 370W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 190A (Tc) | 3.9 mOhm @ 110A, 10V | 2.5V @ 250µA | 140nC @ 4.5V | 11490pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
1,428
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | D2PAK (7-Lead) | 380W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 240A (Tc) | 1.9 mOhm @ 180A, 10V | 2.5V @ 250µA | 160nC @ 4.5V | 11270pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±16V |