- 系列 :
- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,629
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | OptiMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 71W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 50A (Tc) | 7.8 mOhm @ 50A, 10V | 2.2V @ 35µA | 64nC @ 10V | 4780pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,429
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | OptiMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 71W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 45A (Tc) | 7.9 mOhm @ 45A, 10V | 2.2V @ 35µA | 64nC @ 10V | 4780pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,720
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 230W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 75A (Tc) | 4.9 mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 180nC @ 10V | 4780pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,647
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 230W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 150A (Tc) | 4.9 mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 180nC @ 10V | 4780pF @ 25V | 10V | ±20V |