- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- Vgs(最大值) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,937
有现货
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EPC | TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE | eGaN® | Discontinued at Digi-Key | Tape & Reel (TR) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 125°C (TJ) | Surface Mount | Die | N-Channel | - | 100V | 11A (Ta) | 16 mOhm @ 11A, 5V | 2.5V @ 3mA | 5.2nC @ 5V | 520pF @ 50V | 5V | +6V, -5V | |||
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获得报价 |
1,949
有现货
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EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | eGaN® | Discontinued at Digi-Key | Tape & Reel (TR) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 125°C (TJ) | Surface Mount | Die | N-Channel | - | 200V | 12A (Ta) | 25 mOhm @ 6A, 5V | 2.5V @ 3mA | 7.5nC @ 5V | 540pF @ 100V | 5V | +6V, -4V | |||
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获得报价 |
3,852
有现货
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EPC | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE | eGaN® | Discontinued at Digi-Key | Tape & Reel (TR) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 125°C (TJ) | Surface Mount | Die | N-Channel | - | 150V | 12A (Ta) | 25 mOhm @ 6A, 5V | 2.5V @ 3mA | 7.5nC @ 5V | 540pF @ 100V | 5V | +6V, -5V |