- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
937
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 55W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 58A (Tc) | 8.9 mOhm @ 25A, 10V | 2.35V @ 25µA | 16nC @ 4.5V | 1350pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,052
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 263W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 100A (Tc) | 8.9 mOhm @ 25A, 10V | 2.1V @ 1mA | 94.3nC @ 5V | 11650pF @ 25V | 5V, 10V | ±10V | ||
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获得报价 |
3,156
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 263W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 100A (Tc) | 8.9 mOhm @ 25A, 10V | 2.1V @ 1mA | 94.3nC @ 5V | 11650pF @ 25V | 5V, 10V | ±10V |