- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,855
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN | HEXFET®, StrongIRFET™ | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | D2PAK (7-Lead) | 231W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 195A (Tc) | 1.4 mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 150µA | 225nC @ 10V | 7437pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,978
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 231W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 160A (Tc) | 2.4 mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 240nC @ 10V | 6320pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,042
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 231W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 75A (Tc) | 2.4 mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 240nC @ 10V | 6320pF @ 25V | 10V | ±20V |