- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,611
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | CoolMOS™ CE | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251 | 28W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 3.1A (Tc) | 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V | 3.5V @ 90µA | 9.4nC @ 10V | 200pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,776
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | CoolMOS™ CE | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251 | 37W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 4.3A (Tc) | 1 Ohm @ 1.5A, 10V | 3.5V @ 130µA | 13nC @ 10V | 280pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,431
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 | CoolMOS™ CE | Discontinued at Digi-Key | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | PG-TO251-3 | 34W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 4.3A (Tc) | 950 mOhm @ 1.2A, 13V | 3.5V @ 100µA | 10.5nC @ 10V | 231pF @ 100V | 13V | ±20V |