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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SPD07N20		获得报价	PDF RFQ	713 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 7A TO-252	SIPMOS®	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PG-TO252-3	40W (Tc)	N-Channel	-	200V	7A (Tc)	400 mOhm @ 4.5A, 10V	4V @ 1mA	31.5nC @ 10V	530pF @ 25V	10V	±20V
	SPB80N10L G		获得报价	PDF RFQ	1,400 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 80A TO-263	SIPMOS®	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	PG-TO263-3-2	250W (Tc)	N-Channel	-	100V	80A (Tc)	14 mOhm @ 58A, 10V	2V @ 2mA	240nC @ 10V	4540pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	SPB10N10L G		获得报价	PDF RFQ	3,293 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263	SIPMOS®	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	PG-TO263-3-2	50W (Tc)	N-Channel	-	100V	10.3A (Tc)	154 mOhm @ 8.1A, 10V	2V @ 21µA	22nC @ 10V	444pF @ 25V	10V	±20V
	BUZ30AH3045AATMA1		获得报价	PDF RFQ	3,316 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 21A TO-263	SIPMOS®	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263AB)	125W (Tc)	N-Channel	-	200V	21A (Tc)	130 mOhm @ 13.5A, 10V	4V @ 1mA	-	1900pF @ 25V	10V	±20V
	IPB47N10SL26ATMA1	单位 $2.06	获得报价	PDF RFQ	3,392 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3	SIPMOS®	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	PG-TO263-3-2	175W (Tc)	N-Channel	-	100V	47A (Tc)	26 mOhm @ 33A, 10V	2V @ 2mA	135nC @ 10V	2500pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	BSP129E6327T		获得报价	PDF RFQ	1,753 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223	SIPMOS®	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	PG-SOT223-4	1.8W (Ta)	N-Channel	Depletion Mode	240V	350mA (Ta)	6 Ohm @ 350mA, 10V	1V @ 108µA	5.7nC @ 5V	108pF @ 25V	0V, 10V	±20V
	IPB47N10S33ATMA1	单位 $2.06	获得报价	PDF RFQ	1,569 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3	SIPMOS®	Discontinued at Digi-Key	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	PG-TO263-3-2	175W (Tc)	N-Channel	-	100V	47A (Tc)	33 mOhm @ 33A, 10V	4V @ 2mA	105nC @ 10V	2500pF @ 25V	10V	±20V

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