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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIE818DF-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 75V 60A (Tc) 9.5 mOhm @ 16A, 10V 3V @ 250µA 95nC @ 10V 3200pF @ 38V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 75V 60A (Tc) 9.5 mOhm @ 16A, 10V 3V @ 250µA 95nC @ 10V 3200pF @ 38V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 20V 60A (Tc) 1.6 mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 155nC @ 10V 8800pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 20V 60A (Tc) 1.6 mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 155nC @ 10V 8800pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 25W (Tc) N-Channel - 25V 45A (Tc) 5.2 mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 36nC @ 10V 1400pF @ 12.5V 4.5V, 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 25W (Tc) N-Channel - 25V 45A (Tc) 5.2 mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 36nC @ 10V 1400pF @ 12.5V 4.5V, 10V ±20V
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