- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,859
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 750mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 3.7A (Ta) | 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 19nC @ 4.5V | 1020pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,696
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6-TSOP | 5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 8A (Tc) | 36 mOhm @ 6.7A, 10V | 2.5V @ 25µA | 27nC @ 10V | 1020pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,079
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 1.25W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 4.7A (Ta) | 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 12.5nC @ 4.5V | 1020pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,585
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 Single | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 4.5A (Tc) | 23.6 mOhm @ 9.9A, 10V | 1.5V @ 250µA | 27nC @ 10V | 1020pF @ 10V | 2.5V, 10V | ±12V |