- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,724
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SC-75-6L | PowerPAK® SC-75-6L Single | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | P-Channel | 12V | 9A (Tc) | 25.5 mOhm @ 4A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 33nC @ 8V | 1180pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,633
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SC-70-6 (SOT-363) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) | N-Channel | 12V | 4A (Ta) | 20 mOhm @ 6A, 4.5V | 1V @ 250µA | 33nC @ 8V | 1010pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,247
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-363 | 2.8W (Tc) | P-Channel | 20V | 4A (Tc) | 41 mOhm @ 5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 33nC @ 8V | - | 1.8V, 4.5V | ±10V |