- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,673
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | 700mW (Ta) | N-Channel | 20V | 3.1A (Ta) | 56 mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 5.4nC @ 4.5V | 400pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
2,660
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C | U-MOSVII-H | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, WLCSP | 6-WCSPC (1.5x1.0) | 1.6W (Ta) | N-Channel | 12V | 7A (Ta) | 18 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 5.4nC @ 4.5V | 600pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,815
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SuperSOT-3 | 500mW (Ta) | P-Channel | 20V | 1.5A (Ta) | 125 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.4nC @ 4.5V | 341pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
824
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SC-70-6 (SOT-363) | 3.3W (Tc) | P-Channel | 60V | 1.6A (Tc) | 290 mOhm @ 2A, 10V | 2.5V @ 250µA | 5.4nC @ 4.5V | 355pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,049
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | 430mW (Ta) | N-Channel | 20V | 2.8A (Ta) | 56 mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 5.4nC @ 4.5V | 400pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±12V |