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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
PMZB1200UPEYL
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$0.44
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RFQ
2,995
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Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 30V SOT883 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN1006B-3 310mW (Ta), 1.67W (Tc) P-Channel 30V 410mA (Ta) 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V 950mV @ 250µA 1.2nC @ 4.5V 43.2pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
PMZB290UNE2YL
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$0.45
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2,344
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN1006B-3 350mW (Ta), 5.43W (Tc) N-Channel 20V 1.2A (Ta) 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V 950mV @ 250µA 1.4nC @ 4.5V 46pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
PMZB320UPEYL
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$0.47
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RFQ
3,034
有现货
Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 30V SOT883 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN1006B-3 350mW (Ta), 6.25W (Tc) P-Channel 30V 1A (Ta) 510 mOhm @ 1A, 4.5V 950mV @ 250µA 1.4nC @ 4.5V 122pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
PMZB600UNEYL
单位
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RFQ
1,050
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V XQFN3 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN1006B-3 360mW (Ta), 2.7W (Tc) N-Channel 20V 600mA (Ta) 620 mOhm @ 600mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.7nC @ 4.5V 21.3pF @ 10V 1.2V, 4.5V ±8V
PMZB950UPEYL
单位
$0.54
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RFQ
854
有现货
Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V XQFN3 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN1006B-3 360mW (Ta), 2.7W (Tc) P-Channel 20V 500mA (Ta) 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V 950mV @ 250µA 2.1nC @ 4.5V 43pF @ 10V 1.2V, 4.5V ±8V
PMZB200UNEYL
单位
$0.54
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RFQ
2,544
有现货
Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V SOT883 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN1006B-3 350mW (Ta), 6.25W (Tc) N-Channel 30V 1.4A (Ta) 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V 950mV @ 250µA 2.7nC @ 4.5V 89pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
PMZB150UNEYL
单位
$0.54
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RFQ
3,580
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V SOT883 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN1006B-3 350mW (Ta), 6.25W (Tc) N-Channel 20V 1.5A (Ta) 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V 950mV @ 250µA 1.6nC @ 4.5V 93pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
PMZB390UNEYL
单位
$0.52
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RFQ
1,473
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN1006B-3 350mW (Ta), 5.43W (Tc) N-Channel 30V 900mA (Ta) 470 mOhm @ 900mA, 4.5V 950mV @ 250µA 1.3nC @ 4.5V 41pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
PMZB550UNEYL
单位
$0.47
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RFQ
3,343
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V SOT883 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN1006B-3 310mW (Ta), 1.67W (Tc) N-Channel 30V 590mA (Ta) 670 mOhm @ 590mA, 4.5V 950mV @ 250µA 1.1nC @ 4.5V 30.3pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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