- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,573
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 50W (Tc) | N-Channel | 500V | 2.5A (Tc) | 3 Ohm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 24nC @ 10V | 360pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,073
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 60W (Tc) | N-Channel | 100V | 9.2A (Tc) | 270 mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16nC @ 10V | 360pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
720
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 50W (Tc) | N-Channel | 200V | 5.2A (Tc) | 800 mOhm @ 3.1A, 5V | 2V @ 250µA | 16nC @ 5V | 360pF @ 25V | 4V, 5V | ±10V |