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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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$1.83
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RFQ
1,509
有现货
Sanken MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 40W (Tc) N-Channel 200V 45A (Ta) 53 mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 1mA - 2000pF @ 25V 10V ±30V
SKP202VR
单位
$2.08
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RFQ
1,002
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Sanken MOSFET N-CH 200V 45A TO-263 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3 95W (Tc) N-Channel 200V 45A (Ta) 53 mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 1mA - 2000pF @ 25V 10V ±30V
SKP202
单位
$1.94
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RFQ
1,790
有现货
Sanken MOSFET N-CH 200V 45A TO-263 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3 95W (Tc) N-Channel 200V 45A (Ta) 53 mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 1mA - 2000pF @ 25V 10V ±30V
TK10J80E,S1E
单位
$2.57
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RFQ
2,566
有现货
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 800V TO-3PN π-MOSVIII Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P(N) 250W (Tc) N-Channel 800V 10A (Ta) 1 Ohm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 46nC @ 10V 2000pF @ 25V 10V ±30V
FKP252
单位
$1.34
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RFQ
2,062
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Sanken MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 40W (Tc) N-Channel 250V 25A (Ta) 75 mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 1mA - 2000pF @ 25V 10V ±30V
TK10A80E,S4X
单位
$2.50
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RFQ
1,256
有现货
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 800V TO220SIS π-MOSVIII Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220SIS 50W (Tc) N-Channel 800V 10A (Ta) 1 Ohm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 46nC @ 10V 2000pF @ 25V 10V ±30V
TK9A90E,S4X
单位
$2.29
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RFQ
3,677
有现货
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 900V TO220SIS π-MOSVIII Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220SIS 50W (Tc) N-Channel 900V 9A (Ta) 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V 4V @ 900µA 46nC @ 10V 2000pF @ 25V 10V ±30V
TK9J90E,S1E
单位
$3.28
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RFQ
3,303
有现货
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 900V TO-3PN - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P(N) 250W (Tc) N-Channel 900V 9A (Ta) 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V 4V @ 900µA 46nC @ 10V 2000pF @ 25V 10V ±30V
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