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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
9 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFR310TRLPBF
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$1.57
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RFQ
1,345
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 25W (Tc) N-Channel - 400V 1.7A (Tc) 3.6 Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±20V
STQ2NK60ZR-AP
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$0.77
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RFQ
2,314
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 SuperMESH™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) TO-92-3 3W (Tc) N-Channel - 600V 400mA (Tc) 8 Ohm @ 700mA, 10V 4.5V @ 50µA 10nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±30V
IRLMS5703TRPBF
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$0.59
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RFQ
1,087
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Micro6™(TSOP-6) 1.7W (Ta) P-Channel - 30V 2.4A (Ta) 180 mOhm @ 1.6A, 10V 1V @ 250µA 11nC @ 10V 170pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
FQD1N60CTM
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RFQ
3,552
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1A DPAK QFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 28W (Tc) N-Channel - 600V 1A (Tc) 11.5 Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 6.2nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±30V
XR46000ESETR
单位
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2,804
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Exar Corporation MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 20W (Tc) N-Channel - 600V 1.5A (Tc) 8 Ohm @ 750mA, 10V 4V @ 250µA 7.5nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±30V
IRFR9210TRPBF
单位
$1.14
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RFQ
2,741
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 25W (Tc) P-Channel - 200V 1.9A (Tc) 3 Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 8.9nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±20V
IRFR310TRPBF
单位
$0.95
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RFQ
3,148
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 25W (Tc) N-Channel - 400V 1.7A (Tc) 3.6 Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±20V
FQN1N60CTA
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$0.46
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RFQ
2,022
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92 QFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) TO-92-3 1W (Ta), 3W (Tc) N-Channel - 600V 300mA (Tc) 11.5 Ohm @ 150mA, 10V 4V @ 250µA 6.2nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±30V
FQT1N60CTF-WS
单位
$0.88
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RFQ
2,087
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 QFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 2.1W (Tc) N-Channel - 600V 200mA (Tc) 11.5 Ohm @ 100mA, 10V 4V @ 250µA 6.2nC @ 10V 170pF @ 25V 10V ±30V
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