- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,181
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251AA | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | P-Channel | - | 200V | 1.9A (Tc) | 3 Ohm @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 8.9nC @ 10V | 170pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,328
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251AA | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | N-Channel | - | 400V | 1.7A (Tc) | 3.6 Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | 170pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,222
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 1A (Tc) | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 6.2nC @ 10V | 170pF @ 25V | 10V | ±30V |