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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
10 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TPCA8064-H,LQ(CM
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP-ADV U-MOSVII-H Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-SOP Advance (5x5) 1.6W (Ta), 32W (Tc) N-Channel - 30V 20A (Ta) 8.2 mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 200µA 23nC @ 10V 1900pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
ZXMN2A02N8TA
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.56W (Ta) N-Channel - 20V 8.3A (Ta) 20 mOhm @ 11A, 4.5V 700mV @ 250µA 18.9nC @ 4.5V 1900pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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Renesas Electronics America MOSFET P-CH 60V 20A TO-220 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Isolated Tab TO-220 Isolated Tab 2W (Ta), 25W (Tc) P-Channel - 60V 20A (Tc) 48 mOhm @ 10A, 10V - 38nC @ 10V 1900pF @ 10V 4V, 10V ±20V
ZXMN2A02N8TA
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.56W (Ta) N-Channel - 20V 8.3A (Ta) 20 mOhm @ 11A, 4.5V 700mV @ 250µA 18.9nC @ 4.5V 1900pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
RD3L140SPTL1
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Rohm Semiconductor PCH -60V -14A POWER MOSFET - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 20W (Tc) P-Channel - 60V 14A (Ta) 84 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 1mA 27nC @ 10V 1900pF @ 10V 4V, 10V ±20V
RD3L140SPTL1
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Rohm Semiconductor PCH -60V -14A POWER MOSFET - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 20W (Tc) P-Channel - 60V 14A (Ta) 84 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 1mA 27nC @ 10V 1900pF @ 10V 4V, 10V ±20V
RD3L140SPTL1
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Rohm Semiconductor PCH -60V -14A POWER MOSFET - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 20W (Tc) P-Channel - 60V 14A (Ta) 84 mOhm @ 14A, 10V 3V @ 1mA 27nC @ 10V 1900pF @ 10V 4V, 10V ±20V
SIS454DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.8W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 20V 35A (Tc) 3.7 mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 53nC @ 10V 1900pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SIS454DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.8W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 20V 35A (Tc) 3.7 mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 53nC @ 10V 1900pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SIS454DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.8W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 20V 35A (Tc) 3.7 mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 53nC @ 10V 1900pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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