- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
700
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 1W (Ta) | N-Channel | 55V | 1.9A (Ta) | 160 mOhm @ 1.9A, 10V | 4V @ 250µA | 11nC @ 10V | 190pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,450
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | SOT-23-6 | 1.1W (Ta) | N-Channel | 30V | 2.4A (Ta) | 120 mOhm @ 2.5A, 10V | 1V @ 250µA | 3.9nC @ 10V | 190pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,679
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | 625mW (Ta) | N-Channel | 30V | 1.8A (Ta) | 120 mOhm @ 2.5A, 10V | 1V @ 250µA | 3.9nC @ 10V | 190pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |