- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
- Vgs(最大值) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,966
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3 | U-MOSVI | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK+ | 100W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 80A (Ta) | 5.2 mOhm @ 40A, 10V | 3V @ 1mA | 158nC @ 10V | 7770pF @ 10V | 6V, 10V | +10V, -20V | ||
|
|
获得报价 |
3,018
有现货
|
ON Semiconductor | SUPERFET3 650V TO247 | SuperFET® III | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247-3 | 446W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 65A (Tc) | 40 mOhm @ 32.5A, 10V | 5V @ 6.5mA | 158nC @ 10V | 5940pF @ 400V | 10V | ±30V | ||
|
|
获得报价 |
2,273
有现货
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 349W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 120A (Tc) | 2.6 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 158nC @ 10V | 11180pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
2,718
有现货
|
Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 357W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 120A (Tc) | 2.4 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 158nC @ 10V | 11180pF @ 25V | 10V | ±20V |