- 包装材料 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,392
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 (MP-3ZK) | 1.2W (Ta), 66W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 32A (Tc) | 24 mOhm @ 16A, 10V | 2.5V @ 250µA | 41nC @ 5V | 2000pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,606
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 90A (Tc) | 9 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 41nC @ 5V | 2672pF @ 16V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,194
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 84A DPAK | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 88W (Tc) | N-Channel | - | 12V | 84A (Tc) | 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V | 1.9V @ 250µA | 41nC @ 5V | 2490pF @ 6V | 2.8V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,932
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 90A (Tc) | 9 mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 41nC @ 5V | 2672pF @ 16V | 4.5V, 10V | ±20V |