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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
3,876
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 FL 3W (Ta), 188W (Tc) N-Channel 60V 100A (Tc) 1.45 mOhm @ 50A, 10V 3.3V @ 120µA 104nC @ 10V 8125pF @ 30V 6V, 10V ±20V
SIJA54DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 36.7W (Tc) N-Channel 40V 60A (Tc) 2.35 mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 104nC @ 10V 5300pF @ 20V 4.5V, 10V +20V, -16V
STB80N20M5
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK MDmesh™ V Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 190W (Tc) N-Channel 200V 61A (Tc) 23 mOhm @ 30.5A, 10V 5V @ 250µA 104nC @ 10V 4329pF @ 50V 10V ±25V
TSM045NB06CR RLG
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2,835
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 8-PDFN (5x6) 3.1W (Ta), 136W (Tc) N-Channel 60V 16A (Ta), 104A (Tc) 5 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 104nC @ 10V 6870pF @ 30V 10V ±20V
STB60NF10T4
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK STripFET™ II Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 300W (Tc) N-Channel 100V 60A (Tc) 23 mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 104nC @ 10V 4270pF @ 25V 10V ±20V
TSM038N04LCP ROG
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RFQ
2,710
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 125W (Tc) N-Channel 40V 135A (Tc) 3.8 mOhm @ 19A, 10V 2.5V @ 250µA 104nC @ 10V 5509pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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