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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SUD50N06-08H-E3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 93A TO252 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 3W (Ta), 136W (Tc) N-Channel - 60V 93A (Tc) 7.8 mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 145nC @ 10V 7000pF @ 25V 10V ±20V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 83W (Tc) N-Channel - 100V 60A (Tc) 7.8 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 66nC @ 10V 2350pF @ 50V 6V, 10V ±20V
SIR846ADP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.4W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 60A (Tc) 7.8 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 66nC @ 10V 2350pF @ 50V 6V, 10V ±20V
SIR846ADP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.4W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 60A (Tc) 7.8 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 66nC @ 10V 2350pF @ 50V 6V, 10V ±20V
SIR846ADP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.4W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 60A (Tc) 7.8 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 66nC @ 10V 2350pF @ 50V 6V, 10V ±20V
SIR846DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 6.25W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 100V 60A (Tc) 7.8 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 72nC @ 10V 2870pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
SIR846DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 6.25W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 100V 60A (Tc) 7.8 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 72nC @ 10V 2870pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
SIR846DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 6.25W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 100V 60A (Tc) 7.8 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 72nC @ 10V 2870pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
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