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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SUD50N024-09P-E3
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$0.52
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RFQ
2,469
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 22V 49A TO252 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) N-Channel - 22V 49A (Tc) 9.5 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 16nC @ 4.5V 1300pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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RFQ
2,776
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B AlphaSGT™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251B 59.5W (Tc) N-Channel - 60V 19A (Ta) 9.5 mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 13nC @ 4.5V 1100pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
SIJ800DP-T1-GE3
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$0.44
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RFQ
2,075
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) N-Channel - 40V 20A (Tc) 9.5 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 56nC @ 10V 2400pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
SI7153DN-T1-GE3
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906
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 18A POWERPAK1212 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 52W (Tc) P-Channel - 30V 18A (Tc) 9.5 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 93nC @ 10V 3600pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
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RFQ
967
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC ThunderFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 395W (Tc) N-Channel - 200V 100A (Tc) 9.5 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 129nC @ 10V 5220pF @ 100V 7.5V, 10V ±20V
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单位
$2.71
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RFQ
3,654
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC ThunderFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 395W (Tc) N-Channel - 200V 100A (Tc) 9.5 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 129nC @ 10V 5220pF @ 100V 7.5V, 10V ±20V
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