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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TK90S06N1L,LQ
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858
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 60V 90A DPAK U-MOSVIII-H Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 157W (Tc) N-Channel - 60V 90A (Ta) 3.3 mOhm @ 45A, 10V 2.5V @ 500µA 81nC @ 10V 5400pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
TK90S06N1L,LQ
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$2.15
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 60V 90A DPAK U-MOSVIII-H Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 157W (Tc) N-Channel - 60V 90A (Ta) 3.3 mOhm @ 45A, 10V 2.5V @ 500µA 81nC @ 10V 5400pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
TK90S06N1L,LQ
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 60V 90A DPAK U-MOSVIII-H Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3 157W (Tc) N-Channel - 60V 90A (Ta) 3.3 mOhm @ 45A, 10V 2.5V @ 500µA 81nC @ 10V 5400pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE eGaN® Active Digi-Reel® GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel - 80V 90A (Ta) 2.5 mOhm @ 29A, 5V 2.5V @ 14mA 15nC @ 5V 1650pF @ 40V 5V +6V, -4V
EPC2021
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3,286
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EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE eGaN® Active Cut Tape (CT) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel - 80V 90A (Ta) 2.5 mOhm @ 29A, 5V 2.5V @ 14mA 15nC @ 5V 1650pF @ 40V 5V +6V, -4V
EPC2021
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2,794
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EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE eGaN® Active Tape & Reel (TR) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel - 80V 90A (Ta) 2.5 mOhm @ 29A, 5V 2.5V @ 14mA 15nC @ 5V 1650pF @ 40V 5V +6V, -4V
EPC2020
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2,931
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EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE eGaN® Active Digi-Reel® GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel - 60V 90A (Ta) 2.2 mOhm @ 31A, 5V 2.5V @ 16mA 16nC @ 5V 1780pF @ 30V 5V +6V, -4V
EPC2020
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RFQ
2,337
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EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE eGaN® Active Cut Tape (CT) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel - 60V 90A (Ta) 2.2 mOhm @ 31A, 5V 2.5V @ 16mA 16nC @ 5V 1780pF @ 30V 5V +6V, -4V
EPC2020
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RFQ
3,254
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EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE eGaN® Active Tape & Reel (TR) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel - 60V 90A (Ta) 2.2 mOhm @ 31A, 5V 2.5V @ 16mA 16nC @ 5V 1780pF @ 30V 5V +6V, -4V
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