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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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675
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ON Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK Automotive, AEC-Q101 Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 84W (Tc) P-Channel 100V 31A (Ta) 75 mOhm @ 14A, 10V 3.5V @ 1mA 55nC @ 10V 2850pF @ 20V 10V ±20V
CSD13303W1015
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2,679
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Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA, DSBGA 6-DSBGA 1.65W (Ta) N-Channel 12V 31A (Ta) 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 4.7nC @ 4.5V 715pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
CSD13303W1015
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2,551
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Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA NexFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA, DSBGA 6-DSBGA 1.65W (Ta) N-Channel 12V 31A (Ta) 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 4.7nC @ 4.5V 715pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
CSD13303W1015
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892
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Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA NexFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA, DSBGA 6-DSBGA 1.65W (Ta) N-Channel 12V 31A (Ta) 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 4.7nC @ 4.5V 715pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
EPC2033
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3,999
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EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE eGaN® Active Digi-Reel® GaNFET (Gallium Nitride) - Surface Mount Die Die - N-Channel 150V 31A (Ta) 7 mOhm @ 25A, 5V 2.5V @ 9mA 10nC @ 5V 1140pF @ 75V - -
EPC2033
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$8.39
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RFQ
1,723
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EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE eGaN® Active Cut Tape (CT) GaNFET (Gallium Nitride) - Surface Mount Die Die - N-Channel 150V 31A (Ta) 7 mOhm @ 25A, 5V 2.5V @ 9mA 10nC @ 5V 1140pF @ 75V - -
EPC2033
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1,083
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EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE eGaN® Active Tape & Reel (TR) GaNFET (Gallium Nitride) - Surface Mount Die Die - N-Channel 150V 31A (Ta) 7 mOhm @ 25A, 5V 2.5V @ 9mA 10nC @ 5V 1140pF @ 75V - -
EPC2030ENGRT
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3,446
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EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE eGaN® Active Digi-Reel® GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel 40V 31A (Ta) 2.4 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 16mA 18nC @ 5V 1900pF @ 20V 5V +6V, -4V
EPC2030ENGRT
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$6.57
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3,424
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EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE eGaN® Active Cut Tape (CT) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel 40V 31A (Ta) 2.4 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 16mA 18nC @ 5V 1900pF @ 20V 5V +6V, -4V
EPC2030ENGRT
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$4.24
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RFQ
3,608
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EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE eGaN® Active Tape & Reel (TR) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel 40V 31A (Ta) 2.4 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 16mA 18nC @ 5V 1900pF @ 20V 5V +6V, -4V
EPC2030
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3,650
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EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE eGaN® Active Digi-Reel® GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) - - - - N-Channel 40V 31A (Ta) 2.4 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 16mA 18nC @ 5V 1900pF @ 20V - -
EPC2030
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RFQ
1,482
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EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE eGaN® Active Cut Tape (CT) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) - - - - N-Channel 40V 31A (Ta) 2.4 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 16mA 18nC @ 5V 1900pF @ 20V - -
EPC2030
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$4.24
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RFQ
1,086
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EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE eGaN® Active Tape & Reel (TR) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) - - - - N-Channel 40V 31A (Ta) 2.4 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 16mA 18nC @ 5V 1900pF @ 20V - -
EPC2031ENGRT
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RFQ
813
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EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE eGaN® Active Digi-Reel® GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel 60V 31A (Ta) 2.6 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 15mA 17nC @ 5V 1800pF @ 300V 5V +6V, -4V
EPC2031ENGRT
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$6.71
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RFQ
3,487
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EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE eGaN® Active Cut Tape (CT) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel 60V 31A (Ta) 2.6 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 15mA 17nC @ 5V 1800pF @ 300V 5V +6V, -4V
EPC2031ENGRT
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RFQ
3,857
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EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE eGaN® Active Tape & Reel (TR) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Die Die - N-Channel 60V 31A (Ta) 2.6 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 15mA 17nC @ 5V 1800pF @ 300V 5V +6V, -4V
EPC2031
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RFQ
627
有现货
EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE eGaN® Active Digi-Reel® GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) - - - - N-Channel 60V 31A (Ta) 2.6 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 15mA 17nC @ 5V 1800pF @ 300V - -
EPC2031
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$6.71
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RFQ
621
有现货
EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE eGaN® Active Cut Tape (CT) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) - - - - N-Channel 60V 31A (Ta) 2.6 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 15mA 17nC @ 5V 1800pF @ 300V - -
EPC2031
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$4.04
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RFQ
1,931
有现货
EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE eGaN® Active Tape & Reel (TR) GaNFET (Gallium Nitride) -40°C ~ 150°C (TJ) - - - - N-Channel 60V 31A (Ta) 2.6 mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 15mA 17nC @ 5V 1800pF @ 300V - -
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