- 系列 :
- 工作温度 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
816
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS | π-MOSVII | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220SIS | 35W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 6A (Ta) | 1.4 Ohm @ 3A, 10V | 4.4V @ 1mA | 11nC @ 10V | 540pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,337
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | U-MOSIX | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220SIS | 35W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 6A (Ta) | 1.2 Ohm @ 3A, 10V | 4V @ 630µA | 21nC @ 10V | 740pF @ 300V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,864
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS | π-MOSVII | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220SIS | 35W (Tc) | N-Channel | - | 525V | 6A (Ta) | 1.3 Ohm @ 3A, 10V | 4.4V @ 1mA | 12nC @ 10V | 600pF @ 25V | 10V | ±30V |