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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220 | DTMOSIV | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 180W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 17A (Ta) | 290 mOhm @ 8.5A, 10V | 4V @ 850µA | 32nC @ 10V | 2050pF @ 300V | 10V | ±20V |