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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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988
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 24A POWERDI5060 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 2.9W (Ta) N-Channel - 60V 24A (Tc) 50 mOhm @ 5.1A, 10V 3V @ 250µA 8.8nC @ 10V 584pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
DMT10H015LK3-13
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3,848
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Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 Automotive, AEC-Q101 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 2.9W (Ta) N-Channel - 100V 50A (Tc) 15 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 33.3nC @ 10V 1871pF @ 50V 6V, 10V ±20V
DMT10H015LK3-13
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$1.19
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RFQ
825
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Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 Automotive, AEC-Q101 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 2.9W (Ta) N-Channel - 100V 50A (Tc) 15 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 33.3nC @ 10V 1871pF @ 50V 6V, 10V ±20V
DMT10H015LK3-13
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2,159
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Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 Automotive, AEC-Q101 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 2.9W (Ta) N-Channel - 100V 50A (Tc) 15 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 33.3nC @ 10V 1871pF @ 50V 6V, 10V ±20V
STL8P4LLF6
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1,549
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 STripFET™ F6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 2.9W (Ta) P-Channel - 40V - 20.5 mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 4.5V 2850pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
STL8P4LLF6
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2,749
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 STripFET™ F6 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 2.9W (Ta) P-Channel - 40V - 20.5 mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 4.5V 2850pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
STL8P4LLF6
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1,599
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 STripFET™ F6 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 2.9W (Ta) P-Channel - 40V - 20.5 mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 4.5V 2850pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
CSD25310Q2
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2,457
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Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 48A 6SON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) - 6-WDFN Exposed Pad 6-WSON (2x2) 2.9W (Ta) P-Channel - 20V 20A (Ta) 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 4.7nC @ 4.5V 655pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
CSD25310Q2
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RFQ
1,257
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Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 48A 6SON NexFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) - 6-WDFN Exposed Pad 6-WSON (2x2) 2.9W (Ta) P-Channel - 20V 20A (Ta) 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 4.7nC @ 4.5V 655pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
CSD25310Q2
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RFQ
2,215
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Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 48A 6SON NexFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-WSON (2x2) 2.9W (Ta) P-Channel - 20V 20A (Ta) 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 4.7nC @ 4.5V 655pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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