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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFI3306GPBF
单位
$1.60
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RFQ
766
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 71A TO220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 46W (Tc) N-Channel - 60V 71A (Tc) 4.2 mOhm @ 43A, 10V 4V @ 150µA 135nC @ 10V 4685pF @ 50V 10V ±20V
R6007KNX
单位
$1.62
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RFQ
2,872
有现货
Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FM 46W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Isolated) 600V 7A (Tc) 620 mOhm @ 2.4A, 10V 5V @ 1mA 14.5nC @ 10V 470pF @ 25V 10V ±20V
IRFI4228PBF
单位
$2.95
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RFQ
744
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 46W (Tc) N-Channel - 150V 34A (Tc) 16 mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 110nC @ 10V 4560pF @ 25V 10V ±30V
FCPF067N65S3
单位
$5.28
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RFQ
1,177
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 650V 44A TO220F SuperFET® III Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 46W (Tc) N-Channel - 650V 44A (Tc) 67 mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 4.4mA 78nC @ 10V 3090pF @ 400V 10V ±30V
IRFI4227PBF
单位
$2.95
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RFQ
3,856
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 46W (Tc) N-Channel - 200V 26A (Tc) 25 mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 110nC @ 10V 4600pF @ 25V 10V ±30V
IRFI4321PBF
单位
$2.93
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RFQ
3,288
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220AB Full-Pak 46W (Tc) N-Channel - 150V 34A (Tc) 16 mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 110nC @ 10V 4440pF @ 50V 10V ±30V
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