- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,752
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 | CoolMOS™ CE | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 42W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 3.1A (Tc) | 1.4 Ohm @ 900mA, 13V | 3.5V @ 70µA | 8.2nC @ 10V | 178pF @ 100V | 13V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,202
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 | CoolMOS™ CE | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 33W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 2.4A (Tc) | 2 Ohm @ 600mA, 13V | 3.5V @ 50µA | 6nC @ 10V | 124pF @ 100V | 13V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,421
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 | CoolMOS™ CE | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 26W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 1.7A (Tc) | 3 Ohm @ 400mA, 13V | 3.5V @ 30µA | 4.3nC @ 10V | 84pF @ 100V | 13V | ±20V |