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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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ON Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 40V 55A ATPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ATPAK 60W (Tc) P-Channel - 40V 55A (Ta) 17 mOhm @ 25A, 10V 2.6V @ 1mA 47nC @ 10V 2400pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ATPAK 60W (Tc) P-Channel - 30V 60A (Ta) 13 mOhm @ 28A, 10V 2.6V @ 1mA 47nC @ 10V 2430pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 70W (Tc) N-Channel - 30V 15A (Ta), 73A (Tc) 8.2 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 47nC @ 10V 1700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 70W (Tc) N-Channel - 30V 15A (Ta), 73A (Tc) 8.2 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 47nC @ 10V 1700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK PowerTrench® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 70W (Tc) N-Channel - 30V 15A (Ta), 73A (Tc) 8.2 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 47nC @ 10V 1700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRLR9343TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 20A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-PAK (TO-252AA) 79W (Tc) P-Channel - 55V 20A (Tc) 105 mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47nC @ 10V 660pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
IRLR9343TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 20A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-PAK (TO-252AA) 79W (Tc) P-Channel - 55V 20A (Tc) 105 mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47nC @ 10V 660pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
IRLR9343TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 20A DPAK HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-PAK (TO-252AA) 79W (Tc) P-Channel - 55V 20A (Tc) 105 mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47nC @ 10V 660pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
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