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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
Vgs(最大值) :
6 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STD10N60M2
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1,832
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V DPAK MDmesh™ II Plus Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 85W (Tc) N-Channel - 600V 7.5A (Tc) 600 mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 13.5nC @ 10V 400pF @ 100V 10V ±25V
STD10N60M2
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V DPAK MDmesh™ II Plus Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 85W (Tc) N-Channel - 600V 7.5A (Tc) 600 mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 13.5nC @ 10V 400pF @ 100V 10V ±25V
STD10N60M2
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987
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V DPAK MDmesh™ II Plus Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 85W (Tc) N-Channel - 600V 7.5A (Tc) 600 mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 13.5nC @ 10V 400pF @ 100V 10V ±25V
STD8N60DM2
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STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., MDmesh™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 85W (Tc) N-Channel - 600V 8A (Tc) 600 mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 13.5nC @ 10V 375pF @ 100V 10V ±30V
STD8N60DM2
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$1.53
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3,350
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STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., MDmesh™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 85W (Tc) N-Channel - 600V 8A (Tc) 600 mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 13.5nC @ 10V 375pF @ 100V 10V ±30V
STD8N60DM2
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RFQ
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STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., MDmesh™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 85W (Tc) N-Channel - 600V 8A (Tc) 600 mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 13.5nC @ 10V 375pF @ 100V 10V ±30V
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