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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
1,866
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ON Semiconductor T6 40V DPAK EXPANSION AND Automotive, AEC-Q101 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 3.1W (Ta), 56W (Tc) N-Channel - 40V 19A (Ta), 82A (Tc) 4.2 mOhm @ 40A, 10V 4V @ 70µA 32nC @ 10V 1900pF @ 25V 10V ±20V
IPD75N04S406ATMA1
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3,091
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-313 58W (Tc) N-Channel - 40V 75A (Tc) 5.9 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 26µA 32nC @ 10V 2550pF @ 25V 10V ±20V
IPD60R400CEAUMA1
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RFQ
1,724
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Infineon Technologies CONSUMER CoolMOS™ CE Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252 112W (Tc) N-Channel - 600V 14.7A (Tc) 400 mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 300µA 32nC @ 10V 700pF @ 100V 10V ±20V
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834
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA ThunderFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 125W (Tc) N-Channel - 200V 35.8A (Tc) 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V 1172pF @ 100V 7.5V, 10V ±20V
IPD60R380C6ATMA1
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1,153
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 CoolMOS™ C6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 83W (Tc) N-Channel - 600V 10.6A (Tc) 380 mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 320µA 32nC @ 10V 700pF @ 100V 10V ±20V
FDD5690
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2,502
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 3.2W (Ta), 50W (Tc) N-Channel - 60V 30A (Tc) 27 mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V 1110pF @ 25V 6V, 10V ±20V
IRFR5505TRPBF
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2,434
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 18A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 57W (Tc) P-Channel - 55V 18A (Tc) 110 mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 32nC @ 10V 650pF @ 25V 10V ±20V
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