- 系列 :
- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,626
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | N-Channel | 55V | 17A (Tc) | 70 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 370pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,753
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 104W (Tc) | N-Channel | 500V | 5.3A (Tc) | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 20nC @ 10V | 325pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
699
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | P-Channel | 200V | 3.6A (Tc) | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V | 4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 340pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,733
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | N-Channel | 400V | 3.1A (Tc) | 1.8 Ohm @ 1.9A, 10V | 4V @ 250µA | 20nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V |