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供应商设备包 :
Vgs(th)(最大)@Id :
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驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SQD50N04-5M6L_GE3
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1,603
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 71W (Tc) N-Channel - 40V 50A (Tc) 5.6 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 75nC @ 10V 4000pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SQD50N04-5M6_GE3
单位
$0.70
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RFQ
2,417
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 71W (Tc) N-Channel - 40V 50A (Tc) 5.6 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 85nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±20V
SQD50N04-5M6_T4GE3
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2,725
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 71W (Tc) N-Channel - 40V 50A (Tc) 5.6 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 85nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±20V
SQD50N04-5M6_T4GE3
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RFQ
2,770
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 71W (Tc) N-Channel - 40V 50A (Tc) 5.6 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 85nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±20V
SQD50N04-5M6_T4GE3
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$0.63
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RFQ
1,438
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 71W (Tc) N-Channel - 40V 50A (Tc) 5.6 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 85nC @ 10V 4000pF @ 25V 10V ±20V
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