- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,198
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 80V 8.5A TO252 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 2.5W (Ta), 53.5W (Tc) | N-Channel | 80V | 8.5A (Ta), 35A (Tc) | 15 mOhm @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 22nC @ 10V | 1109pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,528
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252AA | 136W (Tc) | P-Channel | 80V | 48A (Tc) | 28 mOhm @ 12.5A, 10V | 3.5V @ 250µA | 145nC @ 10V | 6035pF @ 25V | 10V | ±20V |