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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
7 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPD35N12S3L24ATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 71W (Tc) N-Channel - 120V 35A (Tc) 24 mOhm @ 35A, 10V 2.4V @ 39µA 39nC @ 10V 2700pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPD35N12S3L24ATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 71W (Tc) N-Channel - 120V 35A (Tc) 24 mOhm @ 35A, 10V 2.4V @ 39µA 39nC @ 10V 2700pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPD35N12S3L24ATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 71W (Tc) N-Channel - 120V 35A (Tc) 24 mOhm @ 35A, 10V 2.4V @ 39µA 39nC @ 10V 2700pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-11 125W (Tc) N-Channel - 120V 70A (Tc) 11.1 mOhm @ 70A, 10V 4V @ 83µA 65nC @ 10V 4355pF @ 25V 10V ±20V
IPD110N12N3GATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 136W (Tc) N-Channel - 120V 75A (Tc) 11 mOhm @ 75A, 10V 3V @ 83µA (Typ) 65nC @ 10V 4310pF @ 60V 10V ±20V
IPD110N12N3GATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 136W (Tc) N-Channel - 120V 75A (Tc) 11 mOhm @ 75A, 10V 3V @ 83µA (Typ) 65nC @ 10V 4310pF @ 60V 10V ±20V
IPD110N12N3GATMA1
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 136W (Tc) N-Channel - 120V 75A (Tc) 11 mOhm @ 75A, 10V 3V @ 83µA (Typ) 65nC @ 10V 4310pF @ 60V 10V ±20V
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