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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
6 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
R6002END3TL1
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RFQ
3,922
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Rohm Semiconductor NCH 600V 2A POWER MOSFET - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 26W (Tc) N-Channel - 600V 1.7A (Tc) 3.4 Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 6.5nC @ 10V 65pF @ 25V 10V ±20V
R6002END3TL1
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991
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Rohm Semiconductor NCH 600V 2A POWER MOSFET - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 26W (Tc) N-Channel - 600V 1.7A (Tc) 3.4 Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 6.5nC @ 10V 65pF @ 25V 10V ±20V
R6002END3TL1
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Rohm Semiconductor NCH 600V 2A POWER MOSFET - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 26W (Tc) N-Channel - 600V 1.7A (Tc) 3.4 Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 6.5nC @ 10V 65pF @ 25V 10V ±20V
IPD50R3K0CEAUMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 CoolMOS™ CE Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 26W (Tc) N-Channel - 500V 1.7A (Tc) 3 Ohm @ 400mA, 13V 3.5V @ 30µA 4.3nC @ 10V 84pF @ 100V 13V ±20V
IPD50R3K0CEAUMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 CoolMOS™ CE Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 26W (Tc) N-Channel - 500V 1.7A (Tc) 3 Ohm @ 400mA, 13V 3.5V @ 30µA 4.3nC @ 10V 84pF @ 100V 13V ±20V
IPD50R3K0CEAUMA1
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 CoolMOS™ CE Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 26W (Tc) N-Channel - 500V 1.7A (Tc) 3 Ohm @ 400mA, 13V 3.5V @ 30µA 4.3nC @ 10V 84pF @ 100V 13V ±20V
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