晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IXTP05N100	单位 $1.83	获得报价	PDF RFQ	3,636 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	40W (Tc)	N-Channel	1000V	750mA (Tc)	17 Ohm @ 375mA, 10V	4.5V @ 250µA	7.8nC @ 10V	260pF @ 25V	10V	±30V
	IRF9Z20	单位 $1.15	获得报价	PDF RFQ	3,752 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	40W (Tc)	P-Channel	50V	9.7A (Tc)	280 mOhm @ 5.6A, 10V	4V @ 250µA	26nC @ 10V	480pF @ 25V	10V	±20V
	IRF9Z20PBF	单位 $1.96	获得报价	PDF RFQ	999 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	40W (Tc)	P-Channel	50V	9.7A (Tc)	280 mOhm @ 5.6A, 10V	4V @ 250µA	26nC @ 10V	480pF @ 25V	10V	±20V
	IXTP1N80	单位 $2.56	获得报价	PDF RFQ	2,279 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB	-	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	40W (Tc)	N-Channel	800V	750mA (Tc)	11 Ohm @ 500mA, 10V	4.5V @ 25µA	8.5nC @ 10V	220pF @ 25V	10V	±20V
	IRFZ20PBF	单位 $1.80	获得报价	PDF RFQ	2,132 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	40W (Tc)	N-Channel	50V	15A (Tc)	100 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	17nC @ 10V	850pF @ 25V	10V	±20V
	IRF9620PBF	单位 $1.53	获得报价	PDF RFQ	1,987 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	40W (Tc)	P-Channel	200V	3.5A (Tc)	1.5 Ohm @ 1.5A, 10V	4V @ 250µA	22nC @ 10V	350pF @ 25V	10V	±20V

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